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英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布，两公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构，与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。一方面，它可以实现很高的功率密度，从而缩小设备的外形尺寸(如电源和适配器);另一方面，它是提高能效的关键。
英飞凌科技股份有限公司在上海PCIM Asia 2013 电力电子、智能运动、可再生能源管理展览会上突出展示了650V TRENCHSTOP™ 5。
英飞凌科技股份公司今日推出一系列可为移动电子系统提供一流静电释放(ESD)保护的瞬态电压抑制(TVS)器件。
英飞凌科技股份公司和华为技术有限公司今天宣布，双方将在新一代通信电源和数据中心能源开发领域进行战略合作，同时启动华为-英飞凌网络能源联合实验室。
英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTC QX:IFNNY) 5月27日推出新一代应用于新能源汽车的高压IGBT门级驱动器。
英飞凌科技股份公司推出采用全新650V超结$MOSFET技术的CoolMOSTM C7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS(on)。
