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继电器中，有一个并联了于继电器线圈两端的二极管，通常称为“反相”二极管，该二极管的作用是维护驱动三极管不被电感的反电电动势击穿。再者通过图解的方式详细介绍了“反相”二极管。
本文主要介绍了磁环电感，它在电路中是常用的电子元器件之一，可以跟电容C一起组成LC滤波网络，跟二极管在降压电路中组成续流，还可以用在LC谐振电路中，下面就跟我一起来详细了解吧！
本文主要介绍了点火线圈，点火线圈的原理以及如何检查，可以用高阻抗数字万用表和发光二极管来测试，电阻测试；点火线圈烧坏的原因有哪些等。
反激式开关电源输出整流滤波电路原理上是最简单的。但是，由于反激式开关电源的能量传递必须通过变压器转换实现，并压器的初次级两侧的开关(MOSFET或整流二极管)均工作在电流断续状态。
开关电源中主要的发热元器件为半导体开关管、功率二极管、高频变压器、滤波电感等。不同器件有不同的控制发热量的方法。功率管是高频开关电源中发热量较大的器件之一，减小它的发热量，不仅可以提高功率管的可靠性，而且可以提高开关电源的可靠性，提高平均无故障时间(MTBF)。
TL431是可控精密稳压源。它的输出电压用两个电阻就可以任意的设置到从Vref(2.5V)到36V范围内的任何值。该器件的典型动态阻抗为0.2Ω，在很多应用中用它代替稳压二极管，例如，数字电压表，运放电路，可调压电源，开关电源等。
文中通过采用RC或LC吸收电路对二极管蓄积电荷产生的浪涌电压采用非晶磁芯和矩形磁芯进行磁吸收，从而解决了开关电源浪涌电流的产生以及抑制问题。
研究了基于新一代宽禁带1200V 碳化硅（SiC）MOSFET 三相双向逆变器，由于SiC MOSFET 的高耐压、低损耗、高开关频率特性，逆变电路的拓扑结构得到简化，并提高了功率密度和可靠性。同时，利用碳化硅MOSFET 的双向第三象限导通特性，与硅基IGBT 相比省略了开关器件的反并联二极管。
当二极管用在电路中进行整流、检波时，输出将是直流电源。
近来， LLC拓扑以其高效，高功率密度受到广大电源设计工程师的青睐，但是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。特别是在电源启机，动态负载，过载，短路等情况下。CoolMOS 以其快恢复体二极管，低Qg 和Coss能够完全满足这些需求并大大提升电源系统的可靠性。
