MOS,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)
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对于一位开关电源工程师来说,在一对或多对相互对立的条件面前做出选择,那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。
V(BR)DSS:漏源击穿电压。是指栅源电压VGS为0时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS。它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。
为积极响应龙腾的活动,这次用龙腾的MOS管,做一款LED驱动电源,用于吸顶灯,输入85-265VAC/50HZ,,输出功率12-26W,选了LSC11N70F TO-220 / LSG11N60 TO-252DPAK两款管子,主控芯片采用QX9931,反激,原边反馈,断续模式。
在实际应用过程中,温升过高往往是出现在电源变压器的MOS管以及变压器设计本身两个方面,今天我们就从这两方面入手,来看一下如何才能有效解决开关电源变压器的温升过高问题。
逆变电源当中存在前级与后级电路,它们对于逆变电源的工作效率起着较为重要的作用。在后级电路中,H桥的IGBT管异常脆弱,相较于同等容量的MOS管,H桥中的IGBT更加容易炸毁。
现如今的电源行业发展迅速,对电源的效率与质量都有较多的要求,面对众多需求,逆变电源的优势得以发挥。逆变电源能够对电路中的交流和直流进行自如的转换,这就为电路设计提供了方便。
士兰微电子针对高性能非隔离LED照明驱动应用推出了系列驱动芯片SD690XS系列。该系列芯片属于内置高压MOS管的驱动电路,可以称之为真正的恒流源,能够实时逐周期检测、控制真实的输出电流,在输入电压、输出电压、及外围电感发生变化时输出电流变化很小。
在ORing FET应用中,MOS管的作用是开关器件,但是由于服务器类应用中电源不间断工作,这个开关实际上始终处于导通状态。其开关功能只发挥在启动和关断,以及电源出现故障之时 。