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软磁铁氧体磁心应用与设计(三)

2008-10-09 10:36:09 来源:《国际电子变压器》2008年10月刊 点击:2077

1.3 磁路理论和磁芯特性
1.3.1 磁路定律
实际使用的磁性元件,为取得较大的感应电动势或电磁力,常需要利用铁磁材料造成一个导磁的路径。因为磁感应线是闭合的曲线,我们把磁感应线所通过的由铁磁材料所构成的(包括气隙在内)路径称为磁路。磁路有多种形式,如果磁感应通量从一种介质全部进入另一种介质,当不考虑漏磁时,沿整个磁路的磁通均相同,这类磁路称为串联磁路(或称无分支磁路),如果磁感应通量分成若干分支,以后又会合起来,这样的磁路称为并联磁路,或称为分支磁路,图 1-19 示出串联磁路或并联磁路的例子。由于铁磁材料的导磁系数比空气大许多倍,因此磁通主要沿铁芯而闭合,这部分磁通叫做主磁通,用Φ表示,另外经过空气而闭合的很少部分磁通叫做漏磁通,用 Φs 表示,在磁路计算中,往往只考虑主磁通,对漏磁通应另做处理。
在图 1-19(b) 所示的并联磁路中,设中心柱磁通为Φ1,两边分支磁路磁通分别为Φ2及Φ3。在磁路分支处,根据磁通连续性原理,下式应成立:
Φ2+Φ3-Φ1=0
上式表明,在磁路分支处(或称“节点”处),各段磁路中的磁通代数和应等于零,或写成:
∑Φ=0                                   (1-27)
等式 (1-27) 所表示的方程,与分支电路的基尔霍失第一方程相似,故也称为磁路的基尔堆夫第一定律。
列写上述方程式时:常设磁通穿出“节点”者为正,穿入“节点”者为负,另要注意,由于 B=Φ/A,而各段磁路的截面积通常不等,故并无∑B=0 的关系。在磁路的任一闭合路径中,磁场强度和磁势的关系应符合环路定律,例如图 1-19(a) 的无分支磁路中,若认为磁场是均匀分布的,则磁场强度的面积分关系可用简单乘积来代替,即可得到:
H1l1+H2l2+H3l3+H4l4=NI
或写成:
∑H1=NI                             (1-28)
上式中左边各段磁路长度与其磁场强度的乘积(Hl)称为该段磁路的磁压降,等式右边 NI 表示回路所包含的线圈匝数和线圈中电流强度的乘积之和,通常称为磁势,因此,闭合磁路中各段磁压之个数和等于各磁势的代数和,这就是磁路的基尔霍夫第二定律。磁势方向按电流及线圈绕向根据右螺旋关系确定,磁压方向与磁场方向相同,磁压磁势方向与闭合磁路绕向一致者为正,反之取负。
该磁路由磁导率为μ的材料做成,面积为 A,长度为 l,磁路中磁通为 Φ,磁感应强度为 B,磁场强度为 H,则因:
H=B/μ0 μ,B=Φ/A
所以 Hl=(B/μ0)1=(Φ/μ0μA)l

Φ=Hl/(l/μ0 μA)=Um/Rm                (1-20)
其中,
Rm=l/μ0 μA                            (1-30)
称为该段路的磁阻,而式 (1-29) 称为磁路的欧姆定律,磁阻的单位为:1/亨利。由式 (1-30) 可见,磁阻的大小决定于磁路的尺寸及材料的磁导率,磁路中若有长为 10,面积为 A0 的空气隙,其空气磁导率为 μ0μ,则气隙磁阻为:
Rm0=l0/μ0 A                             (1-31)
由于铁磁材料的μ值比空气磁导率 μ0 大得多,所以气隙中磁阻比导磁材料磁阻大许多倍。
串联磁路如图1-10(a)所示,设磁性材料的截面积为A,磁导率为μ,各段磁路长分别为 11、l2、l3、l4,空气气隙截面积相同,磁导率为 μ0 ,二处气隙段总长为 10,磁场为 H0。根据磁路基尔霍夫定律:
Hl1+Hl2+Hl3+Hl4+H0l0=NI
磁感应通量Φ=BA=μ0 μHA
所以,H=Φ/μ0 μA,气隙磁场 H0=Φ/μ0 A
可以得到:
Φl1/μ0 μA+Φl2/μ0 μA+Φl3/μ0 μA+Φl4/μ0 μA+Φl0/μ0A=NI
所 以 ,
Φ= NI/(11/μ0 μA+12/μ0 μA+13/μ0 μA+14/μ0 μA+10/μ0 A)
   = NI/(r1+r2+r3+r4+r0)
磁路的总磁阻 Rm=r1+r2+r3+r4+r0

Φ=NI/Rm=εm/Rm                         (1-32)
上式表示,磁感应通量在数值上等于磁势 εm 与磁路的磁阻 Rm 之比。
当有 n 个磁路串联情形,则有:

由此可见,串联磁路总磁阻 Rm 等于磁路各部分磁阻之和。这与串联电路总电阻关系式相似。
并联磁路如图 1-19(b) 所示,设并联的两段磁路长度分别为 l2 及 l3,则根据磁路基尔夫定律,则有:
H2l2=H3l3=NI
Φ1= Φ2+Φ3=μ0μH2A2+μ0μH3A3
     = NI(μ0μA2/l2+μ0μA3/l3)
  = NI(l/r2+l/r3)
因为,Φ=εm/Rm
则有,
 l/Rm=l/r2+l/r3                           (1-33)
由此得出结论,并联磁路总磁阻的倒数等于各分路磁阻倒数之和,这个关系与并联导体电阻的关系式相似。
1.3.2 磁芯有效参数
铁氧体磁芯的电磁性能与磁芯的材料和磁芯的尺寸有关。许多材料参数的计算,如磁导率,损耗和饱和磁感应强度等,都要涉及到磁芯的几何尺寸。通常将磁场分布不均匀的磁芯—如E型磁芯,复杂的罐形磁芯等—等效为具有均匀磁场分布的假想磁芯,这种假想的等效磁芯近似于一个薄壁的环形磁芯,而且壁厚与内径之比越小,近似程度越准确。这个磁芯具有各处相等的截面,并用各种材料构成,可用有效截面 Ae 和有效磁路长度 le 来表示。在计算时还应假设,总磁通能穿过每个位置的截面积,在磁芯旁边走过的漏磁通忽略不计。
最简单的情况如图 2-20 的矩形截面的环形磁芯。当沿环形磁芯均匀缠绕线圈并通电以后,在环形磁芯内部的磁力线各处是不均匀的,在靠近内径处磁路长度短,磁阻小;在靠近外径处,磁路长度长,磁阻大。磁力线形成许多同心圆。我们把磁芯设想成由许多壁厚为 dr 的理想薄壁环组成,其中 IN=N2πr,并将单元环形的高度定为 h,截面积定为 dA=hdr,则单元环相应的单元电感为:

由 B=μ0μiH 代入,可得单元初始电感值为:

将所有的单元环加起来,即由内径到外径积分,可得环形磁芯的初始电感值为:
                  (1-34)
于是,环形磁芯的初始磁导率为:
                     (1-35)

或简化为:
                (1-36)

式中,
L = 电感(亨利)
N = 匝数
h = 磁芯高度(米)
D = 环形磁芯外径(米)
d = 环形磁芯内径(米)
对于 E 形磁芯,罐形磁芯与其他类似的磁芯,其几何情况比环形磁芯复杂得多,精确计算这些磁芯的磁场分布必将要化费很大的工作量,因为不仅要象环形磁芯那样考虑到通过截面的不均匀磁场分布,而且也要考虑到不同截面图 1-20 矩形截面的环形磁芯处与拐角处磁力线的园弧拐弯。因此,自 1950 年起,采用了近似法。此法是将磁芯设想或由许多相等截面 AK 的单元组成,并假设在其中局部磁场强度 HK 是常数,这种单元的磁路长度用 lk 表示,单元具有的磁感应用 Bk 表示,以及所属的相对磁导率用 μk 表示,则由环路定律得:
        (1-37)
而线圈电感的定义为:
                                (1-38)
将(1-37)式代入(1-38)式,可得:
                   (1-39)
对于一个无气隙的环形磁芯,磁芯有效长度为 le,有效截面积为 Ae,则电感值为:
                       (1-40)
比较(1-39)式及(1-40)式可知:


同样也可计算得到:
假定:

则磁芯有效参数 le 及 Ae 可由下式计算:
                         (1-41)
关于各种形状磁芯的有效磁芯参数 C1 及 C2 的计算方法,国际电工委员会已有推荐的标准方法,下面简单介绍 U 形及 E 形磁芯的分段及计算磁芯参数方法。
1) 园方形截面的 U 形磁芯对
图 1-21 示出方园形截面的 U 形磁对,把磁路分成八段,但其中 l1=l3'=l2'=l2',与面积 A2 有关的磁路长度为 l2=l2'+=l2',拐角处平均磁路长度:
l4=l4''+l4''= (s+h)(mm)
l5=l5'+l5''= (p+h)(mm)
与 l4 和 l5 有关的平均面积为:
 (mm2)
 (mm2)

 (mm-3)
2) 矩形截面的 E 形磁芯对
E 形磁芯为一对并联磁路,现取四分之一部分进行计算。如图 1-22 所示,在四分之一部分磁路划分为五段,每段的磁路长分别为 l1 到 l5,半个中心柱的面积为 A3,拐角处平均磁路长度按下式计算:
 (p+h)(mm)
 (s+h)(mm)
与 l4 和 l5 有关的平均面积为:
(mm2)
 (mm2)
 (mm-1)
(mm-3)

1.3.3 小气隙磁芯
实际使用的带磁芯线圈,有时为了提高稳定性,或者改善磁特性,常在闭合磁路中开一定大小的空气隙。当施加外磁场 Ha 时,在气隙表面产生假想的去磁荷,形成去磁场 H0(或称退磁场),去磁场 H0 的方向与通电线圈产生的外磁场 Ha 方向相反,即削弱了线圈磁场,这种现象称为退磁效应,结果,磁路中小气隙常使磁滞回线或磁化曲线斜率减小,有效磁导率降低,但也降低了温度系数对静磁场影响,对改善磁芯损耗有良好影响。
如图 1-23 所示,当闭合环形磁芯中开一个长度为 l0 的小气隙时,气隙中磁场为 H0,因为通过磁芯和气隙中的磁通量应该相等的,若空气隙很短,则可以认为空气隙中磁通密度 B 和磁芯内近似相等,即:
μ0H0≈μ0μH=B
按照环路定律 H(le-l0)+H0l0=IN
或中:
le — 环形磁芯有效磁路长度
I — 线圈电流
N — 线圈匝数
若 le≥l0  则
外磁场 
且设退磁因子

                      (1-42)
或表示为:
上式表示,欲在带小气隙磁芯中获得闭合磁芯相同大小的磁感应强度 B,就需要增加一个额外的磁场 (≈) ,用以克服由于气隙引起的退磁场。图 1-24 示出有气隙磁芯的磁滞回线,看到磁滞回线或磁化曲线的斜率减小,即有效磁导率下降了,同时看到矫顽力 Hc 和回线面积与无气隙回线相同,但剩磁 Br 下降了。
因为有效磁导率
                          (1-43)

材料磁导率
                               (1-44)
化入 (1-42) 式,得到

所以
                       (1-45)
或表示为:
μe=[SX()μ[]1+βμ[SX]]=[SX()μ[]1+[SX()le[]le[SX]]μ[SX]]  (1-46)
也可表示为
比值 μe/μ也称为气隙因数。退磁因子β-定时,材料磁导率越高,则 μe/μ 越小。例如 β=10-3,则当μ=1000 时,μe/;而当μ=10000 时,μe/。可见高磁导率铁氧体磁芯,微小气隙对磁性能有明显的影响。图 1-25 示出,在不同退磁因子β情况下,μe 与μ的关系曲线可得到证明。
磁芯磁路中开小气隙虽然使磁导率下降,但却使磁芯的稳定性得到提高。如当磁芯受温度变化影响时(温度θ2>θ1),材料磁导率由 μ1 上升到μ2,磁芯有效磁导率由 μe1上升到 μe2,但退磁因子β保持不变。
根据式 (1-45)


得到
或表示为:
上式表示磁导率温度系数之比与气隙因子 μe/μ 成比例,证实了式 (1-23) 即磁路中引入气隙可使磁芯温度系数下降。
关于开气隙对磁芯损耗的影响。由于弱磁化场条件下,磁芯的损耗因数与磁感应β成线性关系增长,考虑到在相同的外磁场强度作用下,开气隙与无气隙磁芯内部的磁感应之比为 μe:μi,由此得出损耗因数 tgδ 也随 μe/μ;成比例下降 ,即:。
顺便提下,随空气隙增大(μe 减小),磁芯损耗因数tgδc 减小,而线圈在流电阻引起损耗的 tgδN 增大,两种损耗之和,即电感线圈的损耗因数 tgδsp 随 μe 变化而通过一个最小值。因此线圈 Q 值在事实上空气隙下达最大值,见图 1-26。
1.3.4 开路磁芯
实际使用的棒型磁芯或 I 型磁芯,是开磁路磁芯。当外磁场作用时(如放在通电螺线管内),在磁极两端形成磁极,磁极之间有磁力线通过。磁场线从北极指向南极,因此在磁芯外部,磁场线与磁感应是同方向的;而在磁芯内部,磁场线与磁感应线是反方向的。如图 1-27 所示。磁芯内部去磁场与线圈产生的外部磁场方向相反,削弱了线圈磁场,故称为退磁场,用 Hd 表示。于是,磁场内部有效磁场为:
                       (1-48)
式中,退磁因子β与磁芯尺寸有关,对于不均匀磁体,还与方向有关。只有椭球体及其极限形状(如球体,无限长棒、无限延伸的平板)的退磁因子可以准确计算,因为这些形体在一个均匀外磁场中时,其内磁场是均匀的。如椭球体三个相重直的主轴方向的退磁因子之和总等于 1。 
即 βx+βy+βz=1
对于球体,各方向的
对于无限长棒或闭合球,纵向β=0
对于无限延伸的平板,横向β=1
对于周长为 le 的圆环,带有小气隙 l0 时,
根据式(1-48),也可推得内磁场与外磁场之间的关系:
         (1-49)
按照上式,当μ=1000 的球体,可计算得到内磁场仅为外磁场的 0.3%。
当在长线圈的中心部位放置一个有限长的棒形磁芯时,该有限长磁芯在线圈 Ha 作用下受到磁化,磁芯两端出现自由磁极,产生退磁场。对于棒形样品来说,这种退磁场在不同截面处的大小不同,靠近两个端面处退磁场较强,中心截面处退磁场较弱,结果作用于磁芯的有效磁场(即外磁场与退磁场的合成磁场)在中心处最大,由中心向两端逐渐减弱。因此,往往磁棒中心截面处磁感应强度最高,而两个端面处磁感应强度最低。
对于有限长度的圆棒形磁芯,其退磁因子β值决定于磁芯几何尺寸,并与材料磁导率有关,图 1-28 示出棒形中心有效磁导率 μe 与园棒尺寸 l/d 的关系,并以材料 μi作为参变数。由图可见,材料磁导率 μi 密高,退磁因子对 μe 的影响就愈大。当材料磁导率低,或者棒更加细长时,μe 值趋近于材料磁导率。圆棒呈短而粗形状时,退磁因子成为不可忽略地大,有效磁导率比材料磁导率下降很多。

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