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关于软磁材料的磁特性测试技术的最新动向

2003-09-19 14:26:12 来源:国际电子变压器 2002年11月刊 点击:1081
关于软磁材料的磁特性测试技术的最新动向

摘 要: 介绍有关软磁材料特性测试技术的发展及磁特性的测试方法要求。
关键词: 软磁材料 磁特性 测试技术 动向

1. 前言
软磁材料的磁特性,根据励磁频率的不同分为直流磁特性和交流磁特性。同时,根据励磁磁场的大小又可分为饱和磁特性和非饱和磁特性。
饱和磁特性一般是在低频下,加上800A/m~1600A/m的交流磁场来测试的。从中可以测得饱和磁通密度Bs饱和磁场Hs剩磁Br矫顽力Hc矩形比Br/Bm等特性值。在本文中,针对软磁铁氧体材料及金属磁性材料,通过直流磁特性和交流磁特性的测试实例,来说明使用交流磁特性测试仪进行直流磁特性值测试的方法。
非饱和磁特性一般是在,10kHz以上的频率下,从10mT到200mT的磁通密度进行交流励磁来测试的。从中可以测得功耗Pc、幅值磁导率μa相位角θ等特性值。文中,除了对V-A-W测试方式与数字式测试方式的根本区别进行对比之外,同时将介绍今年被IEC正式采用的新的测试方式(CROSS-POWER方式)的测试原理、测试精度以及实例。
另外将介绍软磁铁氧体及金属材料以外的非晶体材料、薄膜材料的饱和磁特性与非饱和磁特性的测试方法。在最后还将对今后软磁材料测试技术的发展作一些介绍。

2. B-H 测试仪的发展
B-H测试仪是在近直流(1Hz)到高频(10MHz)的条件下快速简单地测试:电源变压器的功耗,高频用扼流圈的磁导率及饱和磁特性,马达用转子/定子的功耗及饱和特性,继电器用线圈磁芯的磁导率及饱和特性,电磁线圈用铁心的磁导率及饱和特性。本测试仪是磁性材料研究、产品开发以及生产上不可缺的高频交流磁特性测试仪。

B-H测试仪的发展如图f图1所示。

3. 关于磁特性
B-H曲线是显示磁性材料磁特性的一种方式。B-H曲线又被称为磁滞回线。除B-H曲线以外,常用的还有M-H曲线。M-H曲线主要用于粉末材料及薄膜材料等无法直接测试材料内部磁通密度时,通过测试磁化(J或M)来显示磁特性。
3.1 B-H曲线的测试原理
B-H曲线的测试原理如图2所示。
(1)是一般常用的通过环状样品的测试获得B-H曲线。
(2)是测试材料的磁化的情况,磁场相互削减。
B-H曲线根据励磁磁场的变化周期(频率)分为:一个循环周期(频率)在10秒以上(约0.1Hz以下)的直流B-H曲线,及一个循环周期(频率)在0.1秒以下(约10Hz以上)的交流B-H曲线。直流B-H曲线被称为静态特性,交流B-H曲线被称为动态特性。不管直流还是交流B-H曲线都是检测出磁场及磁通密度对时间的变化,在X-Y坐标轴上表现出来。
3.2直流B-H曲线(静态特性)与直流磁特性
软磁铁氧体材料的代表性直流B-H曲线如图3所示。直流B-H曲线是,在经消磁的材料上缓慢地加上磁场,显示使其按a→b→…→h→I的顺序变化时获得的磁通密度(B)和磁场(H)的关系的饱和磁特性。其中a→b→c→d曲线称为初始化曲线。在B-H曲线所包含的内容中,有定量特性值和定性特性。
■定量特性
▲初始磁导率(μi)
▲最大磁导率(μm)
▲饱和磁通密度(Bms)
▲剩磁(Brs)
▲矫顽力(Hcms)
▲磁滞损耗(Ph)
■定性特性
▲初始磁化曲线
以上的特性中,高频下使用的有饱和磁通密度、顽矫力、磁滞损耗等。定量特性中的饱和磁通密度这一特性值除了可以用来判定材料的使用限度,在产品形状·尺寸的确定时也起着重要的作用。矫顽力与磁滞损耗有着密切的关系,在磁头材料中考虑直流偏磁时起着重要作用。磁滞损耗与材料内部发热有着直接关系,在交流情况下与涡流损耗有着同样重要的地位。另外,初始磁化曲线是了解磁化过程(磁壁移动、磁畴回转等)的重要情报源,主要用于分析材料的均一性、是否有缺陷、各向异性等。有时也可以观测到Barkhausen跳跃。
3.3交流B-H曲线(动态特性)与交流磁特性
软磁铁氧体的代表性交流B-H曲线如图fig. 4.3所示。交流B-H曲线是,显示在样品上加上交流磁场时磁通密度(B)与磁场(H)的关系的饱和特性或非饱和特性。测试交流特性时一般使用环状样品,而测试象硅钢板等板状样品时,使用扼流圈材料使其形成封闭磁路后测试。

图4是在任意频率下印加任意磁场时的B-H曲线。从这一特性中可以得到以下定量特性。
■定量特性
▲最大磁通密度(Bm)
▲最大磁场(Hm)
▲剩磁(Br)
▲矫顽力(Hc)
▲幅值磁导率(μa)
▲功耗(Pc)
以上的特性值在材料开发及材料应用研究时被大量使用。
在频率不变,磁场幅值由小到大变化时的B-H曲线中可以得到以下定量特性和定性特性。
■定量特性
▲交流初始磁导率(μiac)
▲磁导率曲线(μa-Hm)
■定性特性
▲磁化曲线(Bm-Hm)
其中交流初始磁导率通常在磁场幅值在0.4A/m~0.8A/m或磁通密度幅值为1mT,频率在10kHz以下的条件下测试。交流磁化曲线与直流B-H曲线的初始磁化曲线是不同的,在分析磁化过程时应该使用直流B-H曲线。交流磁化曲线只能用作参考。
在磁通密度不变,频率变化的情况下得到的B-H曲线中可以得到以下定量特性。
■定量特性
▲功耗特性(Pc-freq)
▲幅值比磁导率特性(μa-freq)
▲剩磁特性(Br-freq)
▲矫顽力特性(Hc-freq)
在频率不变,磁通密度的幅值变化时的B-H曲线中可以得到以下定量的特性。
■定量特性
▲功耗特性(Pc-Bm)
▲幅值磁导率特性(μa-Bm)
在磁场固定在一定的小幅值下,频率变化时的B-H曲线中可以得到以下定量特性。
■定量特性
▲幅值磁导率,相位特性(μa,θ-freq)
▲复数磁导率特性(μ’,μ"-freq)
▲电感特性(L-freq)
▲损耗系数特性(tanδ-freq)
▲阻抗特性(Z,θ-freq)
另外,在直流磁场上叠加微小的交流磁场的B-H曲线,通过测试直流磁场的大小和交流磁场的频率变化,可以测得电源用扼流圈材料及磁头材料的直流叠加特性。同时,从在直流磁场上叠加交流饱和磁场的B-H曲线中,可以测得矩型B-H特性的磁放大器材料的控制磁化特性(CMC)。

4. 磁特性测试装置
4.1直流磁特性测试
直流磁特性的测试一般使用直流B-H曲线绘图仪。最近具有代表性的如图5(电子磁气工业)所示。该装置用于软磁材料,在环行样品上加上励磁线圈和检测线圈进行测试,同时也可以用电磁铁对高矫顽力的材料进行励磁。
以前,这类装置主要用来从B-H曲线中读取解析定性的特性,一般用X-Y记录仪描绘B-H曲线。再从X-Y记录仪所描绘的曲线中读取各种磁特性值。另外由于使用模拟式积分器,容易发生偏移,要测试再现性高的B-H曲线比较困难。

现在这类装置的励磁电流和磁通密度通过AD变换,直接在计算机画面上用数字显示B-H曲线和各种磁特性值。同时偏移问题也通过计算机的自动调整,得到了解决。
4.2交流磁特性的测试
现在使用从低频到高频都可测试的B-H测试仪来进行交流磁特性测试的用户越来越多。最近具有代表性的B-H测试仪如图6(岩崎通信机)所示。该装置原则上对具有封闭磁路的样品进行绕线后测试。由于对产品要求从低频到高频的磁特性都要测试,在磁通密度的检测时无法使用模拟式积分器。一般使用将检出线圈上的诱起电压通过高速AD变换器将模拟信号转换为数字信号,再进行数字积分的方法。如果将AD变换器的变换速度减慢的话,可以进行低频测试。由于提高了检出感度,使测试下限从以前的10Hz降低到1Hz。所以使用该装置,可以进行从金属材料的低频特性到铁氧体及薄带金属材料的近直流到高频的大范围的磁特性测试。而且如果采用后述的补充线圈法进行薄膜材料测试时,还可以测试薄膜材料的高频磁特性。

5.用交流磁特性测试装置进行直流磁特性的测试
我们用3种材料作了从低频交流B-H曲线能得到怎样的直流磁特性的实验。结果如下:
5.1实验样品
样品的规格如下。3个都是环行样品,并饶上励磁线圈和检测线圈。
■铁氧体材料;
■6.5%Si硅钢(6.5Si#1) ;
■坡莫合金(PC-A) ;
5.2交流的测试条件
交流B-H曲线的测试条件如下:
■测试频率f;10Hz,…,1kHz
■励磁磁场Hm ;400A/m±2%,800A/m±2%,1200A/m±2%
(坡莫合金为、400A/m±2%,80A/m±2%)
5.3直流的测试条件
直流B-H曲线的测试条件如下:
■测试周期 ;20秒
■测试方式 ;线速度一定
■励磁磁场Hmax ;和交流B-H曲线相同
5.4实验方法
推定的支流Hc值,Br值是,通过交流B-H曲线(岩通产SY-8232)测得的Br,Hc的频率特性图进行函数计算取得的延伸值。直流的Hc值、Br值,是使用直流B-H绘图仪(日本电子磁气工业制BH-5501)测得的结果。
5.5实验结果



图7.1是铁氧体材料、图7.2是6.5%SiFe材料、图7.3是坡莫合金材料的测试结果。
5.6分析
铁氧体材料的Hc值,Br值随频率变化小,在10Hz~1kHz间与直流的Hc值,B值基本相同。但是,随着励磁磁场的增大,离散性也越来越大。这是因为用一定的取样周期取样的结果(512点/周期)、励磁磁场的幅值加大后,磁通密度的波形在零附近急速上升,无法读取足够的取样点数,形成Hc和Br的离散性。因此用交流磁特性测试仪测试直流的Hc和Br值时,应该在误差允许范围内选择最大的励磁磁场的幅值。
6.5%硅钢材料及坡莫合金的Hc和Br随着频率的变化有很大的变化,同时与频率不成比例。所以在10Hz~1kHz的范围内无法测得Hc和Br。在本实验中,将Hc和Br的频率特性曲线进行指数函数的近似。其结果是与直流B-H曲线只有数%误差,基本一至。
因此,要用交流磁特性测试直流的Hc和Br时,用指数函数将其频率特性近似延伸到支流的方法是有效的。

6. 关于功耗的测试技术
在这里根据最新制定的IEC62044-3标准、日本电子材料工业会标准规格EMAS-5003(1998)及日本工业标准(JIS C2514 修改中)的内容,说明功耗的测试技术及今后的发展方向。
6.1日本电子材料工业会标准 EMAS-5003(1998)
该标准的最初版本是在1986年2月制定的。适用于频率在100kHz以下的测试。
近年来,随着使用频率在数兆赫兹的PC50等材料的实用化,以及随着IEC的修订,标准规格的修订被提上议事日程。为此日本电子材料工业会在1996年开始了规格的修订工作。到1997年底进行了多次调查、实验。其结果是对EMAS-5003(1986)的内容作了修改,将测试频率增加到5MHz的同时,加入了许多新的内容。
改定后的版本EMAS-5003(1996)是在1998年3月确定的。适用于5MHz为止的测试。
该标准是以材料特性测试为主要目的,针对环行标准样品的标准。但是由于在目前的情况下,稳定的铁氧体磁芯标准样品还没有被开发出来,对标准样品一事在该标准中没有进行确定。
6.2日本工业JIS C2514(修订中)
该标准是关于磁芯产品(如E形磁芯等)的标准。EMAS-5003修改后,为了与IEC 62044统一,该标准正在进行修订。针对磁芯参数·材质特性等问题,日本应用磁学会正在讨论。 测试频率估计会放宽到1MHz。
6.3IEC标准 IEC 62044-3
2001年1月,作为功耗测试方法的国际标准的IEC 62044-3(Cores made of soft magnetic materials-Measuring methods-Part3:properties at high excitation level)正式实施。这个标准替代了旧的IEC 60367-1,IEC 60367-2标准。该标准由4个部分组成,这次正式实施的是其中的第3部分。4部分的内容为:第1部分:总规范。第2部分:对低磁场下的磁特性测试方法的规定。第3部分:对高磁场下的磁特性测试方法的规定。第4部分:对磁特性以外的各种特性的测试方法的规定。
该标准是由以下8个项目构成的:1.适用范围。2.参照的规格。3.专业用语及记号的定义。4.测试上的注意事项。5.测试样品。6.测试方法。7.测试条件。8.测试结果。
第3部分的第6项所记载的测试方式如下所记,其中包含了从低频到10MHz高频所适用的方式。
■Root-mean-square method(r.m.s method) 均方根法
■Multiplying methods 相乘法
▲V-A-W(volt-ampere-watt) meter method V-A-W表示法
▲Impedance analyzer method 阻抗分析仪法
▲Digitizing method 数字法
▲Vector spectrum method 变量谱法
▲Cross-power method 交叉功率法
■Reflection measurement method 反射测量法
■Calorimatric measurement methos 量热法
6.4测试回路

在此主要介绍IEC标准中所规定的功耗测试方式中最常用的,也是日本工业标准(JIS)及日本电子材料工业会标准(EMAS)所规定的测试方式中的,V-A-W method(平均电功率法)、Digitizing method(波形记忆法)、Digitizing method的改进形式Cross-power method等3种方式的测试原理及特点。无论哪一种方式都是Multiplying methods的衍生方式。其基本的测试回路是共通的,如图8所示。根据对样品的绕线数分为1次绕线法(单线法)和2次绕线法(双线法)。另外根据励磁电流的检测方法分为,使用无感电阻的方法和使用电流探测器的方式。这样组合起来,有4种测试回路。
6.5测试用样品
测试用样品是指绕线圈的磁芯。实际上分为测试产品磁芯性能的产品试样和测试材料性能的标准试样。标准试样主要是在环行磁芯上绕上测试线圈。而产品试样如E形磁芯,则要是其形成封闭磁路。
标准试样分为低频用(25kHz到500kHz )和高频用(500kHz到5MHz)两种。
6.6测试原理
Multiplying methods的功耗测试原理如下。
将流入励磁线圈的励磁电流i1(t)及感应线圈上的感应感应电压,通过以下公式可以求出:总功耗Pc、体积比功耗Pcv、和重量比功耗Pcm。


Pcm=Pc/We
这里,Pc:总功耗(W)、Pcv:体积比功耗(W/m3)、Pcm:重量比功耗(W/kg)、Ve:有效体积(m3)、We:有效重量(kg)、f:频率(Hz)、T:励磁电源周期(s)=1/f、N1:初级线圈绕线数、N2:次级线圈绕线数、i1(t):励磁电流的瞬时值(A)、 v2(t):感应电压的瞬时值(V)
6.7V-A-W 计法
使用本方式的功耗测试装置是由乘积式电压表/高频电功率表等与正弦波信号源、励磁电源(高频功放器)以及将励磁电流转换为电压的励磁电流检测器组成的。
采用本方式的装置,是通过求得与励磁电流成比例的电压,以及与诱起电压成比例的电压的平均电压积,进而求得功耗。
6.7.1测试方法

具体的测试回路如图9所示。
装置的显示值选择为电压显示。
保持一定的频率,将正弦波信号源的输出电压慢慢加大。读取电压平均值V2a或电压有效值V2rms作为诱起电压值。不断调整正弦波信号源的输出电压,使这一读取值达到通过最大磁通密度Bm推算出来的目标电压值。
电压平均值V2a和电压有效值V2rms通过以下公式求出:


V2a:电压平均值(V)、V2rms:电压有效值(V)、f:测试频率(Hz)、N2:次级线圈绕线数、Ae:样品的断面积(m2)、Bm:最大磁通密度(T)
当电压的读取值达到目标电压值的允许范围内时,将显示值的选择开关调到功率显示,此时可以读取到平均功率值,把这个平均功率值乘以测试仪的固定系数后就可以得到功耗值。
6.7.2测试上的注意点
使用本方式的测试仪中,电压·功率的测试部分已经有高频功率仪/U函数器等单独的装置在市场上流通。现在市场上最常见的高频功率仪有258等产品。要将其用作功耗仪时,在此装置以外必须添加正弦波信号源和励磁电源。同时需要将励磁电流转换为电压的电流电压转换器。由于正弦波信号源、励磁电源、电流电压转换器是由用户选择的,所以无法保证用户之间的测得值的一致性。也就是说,必须由用户自己保证测试仪之间的测试精度,而不是由测试仪生产厂家对测试仪的精度进行保证。所以,功耗测试精度是由用户之间进行对比后才能得到保证。
使用该类型的测试仪进行高精度的功耗测试时,必须注意以下几点:
■模拟频率的带宽必须在测试频率的10倍以上。在500kHz测试时,模拟频率带宽要在5MHz以上。
■平均功率值与电压值的显示响应时间要短,应该在数百毫秒以下。
■励磁电流与感应电压之间的相位误差要小,低功耗材料的相位角一般在85°左右,功耗测试精度要在5%以下时,幅值误差如果在2%左右的话,相位误差必须在3%以内。如果换算成角度的话,相位误差应该在0.1°以下。
■必须选用阻抗/相位特性可以保证在测试频率10倍以上范围内不发生变化的励磁电流检测器。幅值精度在2%时,应选择阻抗误差在1%以下,相位误差在0.05°以下的设备。使用无感电阻时,10MHz时相位会发生10°到20°偏差。振幅会发生3%到5%的误差。
■励磁电压的波形必须是正弦波。感应电压波形不正时,通过电压平均值或实效值算出的磁通密度会与实际的磁通密度波形及磁通密度的幅值产生差异。
6.8数字法(波形记忆法)
使用本方式的功耗仪是由,波形记忆装置和正弦波信号源、励磁电源(高频功率放大器)以及将励磁电流转换为电压的励磁电流检测器组成的。
励磁电流波形及感应电压波形通过AD转换器将模拟信号转换为数字信号。然后将励磁电流波形与感应电压波形的积进行1周期的积分,得出的结果就是功耗。
6.8.1测试方法

具体的测试回路如图10所示。
保持一定的测试频率,将样品逐渐励磁,读取励磁电流的波形和感应电压的波形,通过感应电压波形对时间的积分求出磁通密度的波形。用手动或自动方式调节励磁电源的输出电压,使磁通密度的最大值达到预先设定的最大磁通密度Bm。调节完毕后,求出励磁电流波形与感应电压波形的积的时间积分,得出的结果就是功耗值。
6.8.2测试上的注意点
由于本装置的励磁时间短,对磁芯容易发热的高频测试或高磁通密度测试非常有利。另外,本装置内藏有正弦波信号源及自动调节励磁电流大小的装置,可以避免麻烦的电压调节进行自动测试。这类装置可以避免由于测试人不同而引起的人为误差。通过在增加取样点和降低取样频率的同时,提高感应电压的检测感度,使该装置除了可以测试高频的功耗以外,还可以测试数Hz的近直流磁特性。
使用时要注意AD转换器的比特分解能力、取样频率、模拟屏蔽频率带宽等。另外,励磁电流检测器的阻抗和相位的频率特性要在测试频率的10倍以上保持不变。
本方式在计算功耗时使用对时间的积分,无法对励磁电流检测器、励磁电流波形检测部和感应电压波形检测部的幅值/相位进行补偿。因此必须选择,具有幅值的频率特性在测试频率的10倍以上保持稳定以及相位的频率特性保持均一的检测部的测试仪。
特别是测试低功耗材料时,需要测试仪具备良好的重复性。重复性的好坏是由信号/噪声的比(S/N比)决定的。必须选择S/N比在功耗误差1/10以下的测试仪。
6.9 交叉功率法
采用本方式的测试仪,一般是由励磁电流检测回路、波形记忆回路和内藏正弦波信号源的B-H仪以及励磁电源(功率放大器)组成的。
励磁电流波形和感应电压波形通过AD转换器,将模拟信号转换为数字信号。然后将励磁电流波形和感应电压波形通过高速傅立叶变换转换为频谱后,计算两者相关功率频谱,求得其实数部分的总和。这个和就是功耗。
6.9.1测定方法

具体的测试回路如图11所示。
保持测试频率不变,将样品逐渐励磁,读取励磁电流波形和感应电压波形。通过感应电压波形在频率轴上对时间积分算出磁通密度波形。自动调节励磁电源的输出电压,使磁通密度的最大值达到预先设定的最大磁通密度Bm。调节结束后计算出励磁电流波形和感应电压波形的频谱,两者的相关功率频谱的实数部分的总和,就是功耗值。
6.9.2测试上的注意点
本装置与波形记忆装置一样,由于励磁时间短,有利于发热显著的高频或高磁通密度的测试。本装置内藏有正弦波信号源及自动调节励磁电流大小的装置,可以避免麻烦的电压调节进行自动测试。这类装置可以避免由于测试人不同而引起的人为误差。通过在增加取样点和降低取样频率的同时,提高感应电压的检测感度,使该装置除了可以测试高频的功耗以外,还可以测试数Hz的近直流磁特性。
使用时要注意AD转换器的比特分解能力、取样频率、模拟屏蔽频率带宽等。
本方式的内部计算都使用频谱方式,因此本方式不需要象波形记忆法那样必须有10倍以上的稳定频率。这是因为本方式中可以对励磁电流检测器的阻抗和相位的频率特性进行补正,使励磁电流检测器的选择范围更大,精度更高。
特别是测试低功耗材料时,需要测试仪具备良好的重复性。重复性的好坏是由信号/噪声的比(S/N比)决定的。必须选择S/N比在功耗误差1/10以下的测试仪。

7.关于非晶态材料和薄膜材料的测试方法
7.1关于非晶态材料的测试
非晶态材料的矩形比非常高、有些可以达到0.8到1.0。这类材料对磁场非常敏感,在交流磁场中只要叠加非常小的直流磁场就会使B-H曲线大幅度左右偏移,无法测得正确的交流磁特性。因此需要使用带有直流过滤功能或直流调节功能的励磁电源。
非晶态材料饱和特性的饱和部分非常尖锐,励磁电流与感应电压(的波形)会有很大的变形。因此励磁电流和感应电压的检测回路的频率带宽如果没有较大的余地的话,将无法正确测出这些变形,会使饱和部分胀大或形成交叉曲线,无法正确测得Bm,Br,Hc等特性值。为此,非晶态材料测试时必须使用励磁电流和感应电压的检测回路的幅值及相位具有在测试频率10倍以上的稳定频率带宽的测试仪。
非晶态材料的导磁率非常高,在高频下阻抗非常大。因此如果励磁电源的输出阻抗较大时,有可能会引起因励磁电源功率不足而无法按要求的条件进行测试。在这种情况下可以通过增减绕线圈数,或使用输出阻抗较小的励磁电源的方法来解决。
7.2关于薄膜材料的测试
磁性薄膜材料测试时的主要问题有:①很难作成环形样品、②无法直接在样品上绕线、③基板的厚度大大超过薄膜的厚度、等等。在测试交流磁特性时励磁方法、磁场·磁通密度的检测方法等都受到限制。现在常用的是用电磁铁励磁的被称为VSM(振动样品型磁力表)的静态特性测试仪。高频测试用的测试仪主要有,8字形绕线测试仪和修正线圈测试仪。8字形绕线测试仪经东北大学的改进,已经可以测试1MHz~数GHz的复数磁导率。修正线圈法也可以测到10MHz。
在此简单介绍一下测试高频饱和特性用的,用于B-H测试仪的修正线圈法装置。这个装置由B-H测试仪、包含励磁线圈·检测线圈·修正线圈的薄膜测试部和励磁电源组成。在检测线圈内插入样品。励磁线圈所产生的磁场印加到样品上,使样品励磁,在检测线圈上产生感应电压。此时检测线圈的空隙所产生的感应电压被修正线圈相抵消,可以检测出只有样品的感应电压。薄膜测试部的结构和原理如图13所示。测试实例如图14所示。


修正线圈法还有以下技术课题有待解决:①可以使大型样品的磁场保持均一的小型励磁线圈,②减小样品的反磁场影响,③与VSM等静态特性的一致性。

8 关于今后的课题
刚才介绍了B-H测试仪等交流磁特性测试仪在测直流特性时的一些情况。并说明了国际标准的IEC标准和日本的JIS、EMAS标准的修订情况,以及与此相关连的今后功耗测试技术的一些新动向。
今后,随着纳米晶合金的开发,新型压粉铁心的开发,块状非晶态材料的市场化,以及新型号铁氧体的开发,在软磁材料方面会有一个新的发展。同时,高附加价值·低价格·高精度的产品开发正在从日本向日本以外的国家(比如中国)转移。受此影响无论材料开发(磁芯厂家)还是材料应用(绕线,整机厂家)都对磁特性的测试提出越来越高的要求。
以下列举几个测试仪生产厂家需要解决的课题。
(1)上游保证(高精度的调试,设备间差异的减小,标准样品的确定,校正方法的简化)
(2)提高测试精度(提高绝对精度,提高重复精度-开发高S/N比的回路)
(3)产品的系列化(将一部分主机功能转化为选用件功能)
(4)增加测试项目(L, Q, μiac, tanδ)
(5)降低生产成本
以上是在与用户的交流中,了解到的用户的一些要求。我们今后将不断地开发对用户有实用价值的,高精度的测试仪器。
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