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复合掺杂对锰锌铁氧体的影响

2008-06-07 10:59:26 来源:《国际电子变压器》2008年06月刊 点击:1651

1 引言
随着现代科学和工程技术的快速发展,对锰锌铁氧体提出了高磁导率 μi、高饱和磁感应强度 Bs、高截止频率  fr、低损耗 PL 以及宽温度稳定性的要求[1]。
近年来,国内外在添加剂对锰锌铁氧体性能影响及其作用机理方面展开了较多的研究,如 CaO、SiO2、TiO2、SnO2 等[2]。本文在这些基础上,研究了 TiO2、CaO 单独或复合掺杂对锰锌铁氧体显微结构和磁性能的影响。
2 实验方法
2.1 基本配方的选择
所用原材料为:日本川崎 Fe2O3(Fe2O3≥99.2%)、湖南金瑞 Mn3O4(Mn≥71.0%)、上海京华 ZnO(ZnO≥99.7%)。根据经验,选用分子式为 Mn0.51Zn0.43Fe2.04O4 的铁氧体作为基体,基中 Fe2O3、MnO、ZnO 的摩尔百分比为 52∶26∶22,其成份扫描如图 3 所示。
2.2 添加物的选择
在实验中,在基体中掺入不同的杂质,根据所掺入杂质的种类不同分为四组试验,实验或样品编号如表 1 所示。
表 1  不同实验成分的样品编号
   Tab.1  Sample codes of different components
样品编号 S1 S2 S3 S4
实验成分 基体 基体+TiO2
 基体+CaO
 基体+TiO2+ CaO


2.2.1 TiO2 说明
在 MnZn 铁氧体中加入 TiO2 可以改进材料的电性能和磁性能。扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪 X-ray(EDAX)分析显示:Ti4+ 均匀地分布在晶粒的表面,在高导配方中掺入少量的 Ti4+ 可以促进晶粒的均匀增长,添加钛离子的高导铁氧体的结构和磁性能更巩固了,因为 Ti4+ 离子和 Fe2+ 离子配对并占据了水晶格的八面体位置。当 Ti4+ 进入晶格时,在 B 位出现 2Fe3+→Fe2+ + Ti4+ 的转化,不仅增多了 Fe2+(起正 K1 的补偿作用),还由于 Ti4+ 的离子半径(0.69Α)和 Fe2+ 的离子半径(0.83A)均比 Fe3+ 的(0.67A)大,从而改变晶体的晶场特性,但过量的 Ti4+ 使磁晶各向异性常数 K1 更大,反而会使 μi 下降[3]。
2.2.2 CaO 说明
Ca2+ 半径较大。常富于晶界,生成非晶质的中间相,从而增进晶界电阻,降低损耗,提高 Q 值。故 CaO 在 MnZn 铁氧体中所起的作用主要为改善电磁性能的作用,同时这也可抑制晶粒生长。当配方使用时,可以显著地增加铁氧体的电阻率,从而降低损耗因素[4-5]。
2.2.3 实验具体组成数量
为了研究 TiO2 和 CaO 对显微结构和磁性能的影响,本实验进行了四组试验,试验一采用纯基体、试验二为基体加 TiO2,其添加量为(0.02wt%~0.15wt%),试验三为基体加 CaO,其添加量为 0.04wt%,试验四为基体加 TiO2,其添加量为 0.08wt%,再加入 CaO,其添加量为 0.08wt%。
2.3 制造方法和过程的确定
利用氧化物湿法工艺制备材料,具体工艺流程如图 1 所示[6]。
工艺说明:将按组成配好的原料砂磨 0.5 小时,使原料充分混合均匀,一次喷雾成型后在空气中 900℃ 预烧,然后在预烧料中分别加入 TiO2 、CaO 及 TiO2 + CaO(注:添加剂均为分析纯),再二次砂磨 1.5 小时,加入原料重 12% 的聚乙烯醇(浓度为 10%)再次喷雾造粒后成型,生坯在钟罩式气氛烧结炉致密化烧结,烧结温度在 1360℃,保温 4h,保温段氧气的体积百分含量为 3.5%,采用平衡氧分压法降温冷却,具体烧结曲线如图 2 所示。 
用 EDAX 扫描电镜观察材料的显微结构和光谱图,用 HP4284A 频谱测试仪测量材料磁谱特性(μ~f)、用 SY8232 功耗仪测磁损耗特性(Pc~f)等。
3 实验结果与分析
3.1 显微结构
在锰锌铁氧体基体中(见图 3)掺入 TiO2 、CaO 及TiO2 + CaO 杂质,显微结构表明,其能有效地控制晶粒的长大,包括晶粒的大小和均匀性。经过测试,各样品的晶粒大小、常温磁导率及常温功耗如下表所示:
表 2  不同实验成分的分析结果
Tab.2  Analysis data of different components
样品编号 实验成分 平均晶粒大小(μm) 常温μi(f=100kHz) 常温损耗Pc(f=100kHz)
S1 基体 有不规则连续生长 11500 0.13w

S2 基体+ TiO2 20 12000 0.18w
S3 基体 + CaO 12 9000 0.10w
S4 基体 + TiO2 + CaO 16 11000 0.07w


以上分析结果表明,在工艺过程中适当地添加一些有益杂质(TiO2 、CaO 及 TiO2+CaO),材料的显微结构、晶粒大小有明显的不同,相应各样品的磁导率(μi)和损耗(Pc)也有一定的变化。
在制造过程中,掺入不同种类的微量元素,可以得到不同效果的产品微观结构。显微组织决定了材料的磁性能,图 4~7 显示四种不同掺杂的显微结构,从显微结构可以看出, S2 样品的晶粒尺寸平均在 22μm,S4 样品的晶粒尺寸平均在 18μm,S1 和 S3 晶粒尺寸相对较小。另外,S2 和 S4 的晶粒比 S1 和 S3 要饱满完整。通过测试在 f=10kHz时,S2 在常温下的磁导率最高(μi =12056),ηB =0.15×10-6/mT,S3 在常温下磁导率最低(μi=8200),ηB 为 0.35×10-6/mT。由于 μi∝1/fr 的关系,磁导率提升的同时,会降低了fr,限制材料应用频率,从图 8 中可以看出,μi2>μi1>μi4>μi3,而 fr4>fr3>fr1>fr2,结果表明在工艺过程中适当地添加一些有益杂质(如 Ti、Co、Ca、Bi),可以调整 μi 与 fr 的乘积。另外,添加一些有益杂质可以降低材料的磁滞损耗系数(ηB)。
3.2 磁性能
图 8 给出了不同组成样品的 μi~f 特性,图中可以看出 S4 样品在高频(150kHz)以上比其它样品表现出更高的初始磁导率。对比 S4 样品与基体(S1 样品)的磁导率频谱特性,在(150kHz 以上,S4/S1>1,图 9 中可知,特别是当 f≥250kHz 时表现更加优越。同样图 10 给出了不同组成样品的 Pc~f 特性,图中可以明显地看出 S4 样品处于损耗线的最下面,比其它样品的损耗都要小,另外将 S4 样品与基体(S1 样品)进行各个频率点上损耗的大小对比,可以得出 S4/S1=(0.25~0.52),从图 11 中可以知道,当 f=1000kHz 时,S4  样品的损耗表现最为优越。
3.3 材料性能及应用
在数字用户线路技术(xDSL)的分离器中,通常使用锰锌铁氧体的磁心用作宽带变压器,根据设计的需要选用的形状有 RM、EP 系列磁心,产品结构如图 12 所示。
表3 是 μi=10000 材料,浙江华洋电子与著名软磁铁氧体厂家同类材料的性能对比情况[7-8]:
5 结论
在高导磁率铁氧体的制备过程中,复合添加适量的 TiO2、CaO 杂质,可以明显地改善铁氧体的显微结构,同时降低铁氧体的磁损耗和提高了铁氧体的应用频率,以满足变压器的高滤波和低失真的效果。
参考文献
[1] 刘九皋. 高性能 Mn-Zn 铁氧体材料现状与分析[J].国际电子变压器,2006,(7):109
[2] C S Liu,J M Wu,M J Tsay. Optimum Power-Loss and   Microstructure of MnZn Ferrites under Consideration of Particle Size[J].IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS,1996,32(5):4860-4862.
[3] J.Zhu and K.J.Tseng.Reducing Dielectric Losses in MnZn Ferrites by Adding TiO2 and MoO3[J]. IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS,2004,40(5):3340:3341
[4] 都有为. 铁氧体[M].南京:江苏科学技术出版社,1996:120
[5] 黄永杰,李世堃,兰中文.磁性材料[M].成都:电子科技大学出版社,1993:48
[6] Y.Matsuo,K.Ono,et al.Magnetic Properties and Mechanical Strength of MnZn Ferrite[J].IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS,2001,37(4):2369
[7] Acme corporation hompage.http://www.acme-ferrite.com.tw/images/pro/A102material.pdf. Last retrieved on September 18,2005
[8] Epcos corporation hompage.http://www.epcos.com/web/generator/web/sections/productcatalog

/Ferrites/FerritesAndAccessories/- M.Last retrieved on September 18,2006

作者简介
沈波娜(1973-),女,浙江海宁人,工程师,主要从事磁性材料的生产与研究。
Tel:(0573)87611348;(0)13606735922;
E-mail:hfdzbb@126.com ;
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