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伍尔特是电子和机电元件制造商，将参加2018年2月27 日– 3月1日在纽伦堡举行的嵌入式世界展，将展出公司最小的元器件，随着0402和0603封装的众多新产品的推出，制造商越发支持元器件小型化。伍尔特展台的另一个重要议题是“高频率优化的多层铁氧体对抑制信号线的帮助”。
POL 稳压器之所以产生热量，是因为没有电压转换效率能够达到 100%。这样一来就产生了一个问题，由封装结构、布局和热阻导致的热量会有多大? 封装的热阻不仅提高 POL 稳压器的温度，还提高 PCB及周围组件的温度，并使得系统散热设计更加复杂。
英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布，两公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构，与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。一方面，它可以实现很高的功率密度，从而缩小设备的外形尺寸(如电源和适配器);另一方面，它是提高能效的关键。
Pulse Electronics目前推出符合SMT封装的一系列新型高隔离开关模式变压器。该变压器使用在固定占空比推挽拓扑电路中，可从低压输入源传递最大3W的功率且最大工作电压可达4000V，并且该变压器具备5000V隔离和仅为8mm的爬电距离。
Vishay宣布，发布用于便携式电子产品的采用超小尺寸CLP0603封装的新款双向对称(BiSy)单线ESD保护二极管---VBUS05A1-SD0。
意法半导体推出业界首款采用深受市场欢迎的TO-247封装的650V AEC-Q101汽车级MOSFET——STW78N65M5和STW62N65M5。
IR推出采用5引脚SOT-23封装的业内最小功率因数校正 (PFC) 升压IC——IRS2505LTRPBF，适用于开关模式电源(SMPS)、LED驱动器、荧光灯及HID电子镇流器等应用。
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
