三段气隙磁片分布方式对磁芯局部饱和影响的分析与研究
2026-11-03 16:35:11
来源：电子变压器与电感网
作者：赵伟
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在磁性元器件设计中，为减少漏磁和绕组损耗，磁芯中柱常采用多段气隙结构。当磁芯中柱分为3段气隙时，通常包含2段由气隙垫片隔离的气隙和1段无气隙垫片的研磨气隙。传统装配方式倾向于将2个磁片和2个气隙垫片全部安装在同一侧磁芯上，这种堆叠式组装虽然工时成本较低，但在实际加工中，无垫片段的气隙深度很难与有垫片段保持绝对一致。这种气隙深度的不一致性是否会对磁路产生不利影响，以及如何通过结构布局优化来消除该影响，是工程实践中亟待解决的问题。本文通过WAXWELL仿真，深入探究不同气隙分布方式对磁芯局部饱和的具体影响及其物理机理。
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