磁芯损耗是指在磁性材料中因磁滞、涡流和剩余效应等引起的能量损失。这些损耗与磁性材料特性和工作频率等密切相关。 磁滞损耗:是磁性材料在磁化过程中,磁畴要克服磁畴壁的摩擦而损失的能量,这部分损失最终使磁芯发热而消耗掉。单位体积磁芯损耗的能量正比于磁滞回线包围的面积。每磁化一个周期,就要损耗与磁滞回线包围面积成正比的能量,所以可以得出:磁滞曲线面积越小,磁滞损耗就越小;频率越高,损耗功率越大。 涡流损耗:是由于磁芯材料的电阻率不是无限大,有一定的电阻值,在高频时还是会由于激磁磁场在磁芯中产生涡流而导致损耗。
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磁芯损耗对温度十分敏感,高频开关变换器中的非正弦磁损测量需要在数秒内完成。本文研究了以电压、电流采样电路和单片机为硬件基础,以 LabVIEW 为上位机构建基于平均功率差值法的测量平台。
本文优化基于Class-E2无线电能传输(WPT)的平面电感;由于平面电感的连接方式不同,其电感的磁芯损耗和铜损也会不同,因此提出了平面电感四种优化方法,并以利兹线电感作为对照组,分析得出最小损耗连接方法;在此基础上,搭建基于推挽式Class-E逆变器和Class-E整流器的无线电能传输系统。
磁元件中磁芯损耗和绕组损耗作为一个元器件中的两部分损耗两者本身难以分离开,目前还没有一种有效的既能测量给定励磁工况下磁元件绕组损耗,又能直接测量功率变换器中磁元件绕组损耗的测量评估方法。
电感磁芯损耗由三部分组成,1、磁滞损耗、2、涡流损耗、3、剩余损耗;什么是电感,电感就是把电能转换为磁能而存储起来的电子元器件。
本文重点研究了在高磁通密度区域采用高Bs纳米晶合金组装的叠层磁块(block)磁芯的磁芯损耗。为了讨论高Bs块体磁芯的软磁特性,还进行了与非晶(SA1)块体磁芯的比较。在高Bs块体磁芯中,低磁芯损耗和高饱和磁通密度Bs在低频区域都得到满足。
正弦激励信号源是高频磁芯损耗自动测试系统的核心装置,直接决定了测试系统的精度和可靠性。本文研究了基于DDS的波形生成技术实现正弦信号源频率、幅值的实时控制方法,提出了一种软启动电路可有效克服DDS芯片输出信号瞬间的暂态过程和滤波电路关断延时过程。
本文基于修正的斯坦麦茨方程提出新型的矩形波激励下磁芯损耗预测模型,经前期建立的磁芯损耗测量装置的试验验证,证实其能精确地预测矩形波激励下的磁芯损耗,,且能描述占空比不等于0.5的矩形波激励下磁滞回线不对称的物理现象。
本文将通过如何建立直流法测量装置做出详细介绍,完成整个装置的设计主要包括硬件电路设计、DSP程序编写和上位机程序编写三部分。
贴片电感磁芯的损耗主要来源于磁芯损耗和线圈损耗两个方面,而且这两个方面的损耗量的大小又需要根据其不同电路模式来进行判断。其中,磁芯损耗主要是因为磁芯材料内交替磁场而产生的,它所产生的损耗是操作频率与总磁通摆幅(ΔB)的函数,会大大降低了有效传导损耗。
日立金属公司开发出了高频特性出色的锰锌(Mn-Zn)类铁氧体磁芯材料“ML95S”和“ML90S”(图)。新材料在几MHz高频范围内的磁芯损耗较小,可使网络设备、汽车以及智能手机配备的部件实现小型化和节能化。