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宽温宽频高居里点绿色照明铁氧体材料

2012-05-09 14:54:29 来源:《磁性元件与电源》2012年5月刊 点击:3001

摘要:  介绍了锰锌铁氧体材料综合性能开发方向,使用优化配方湿法量产的基料试验了各种掺杂组合,确立了批量生产宽温宽频节能环保照明材料的核心技术及工艺对策。

关键字:  宽温,宽频,低功耗,电磁感应,无极灯

1 高性能软磁铁氧体材料的发展   
近年来,世界各大铁氧体公司竞相提高锰锌铁氧体材料技术性能,以适应日益拓展的应用领域,使这种基础功能材料的发展出现了勃勃生机。在IT产业、电力电子,特别是网络通信等用户的苛求下,为保证设备系统稳定、可靠、高效运行,一种求新、求全的理念,已逐渐主导着铁氧体软磁材料的研发方向。这就是要求材料具有更高的饱和磁通密度Bs,更好的直流叠加特性,更低的比损耗系数tgδ/μi(包括高磁通密度下的功耗Pc)和总谐波失真系数(THD)以及更宽的使用频率和更广的使用温度范围。即所谓两宽(宽频、宽温)、两高(高Bs、高DC-Bias性能)、两低(低的比损耗系数tgδ/μi或Pc、低谐波失真THD)兼具的特点。因此,锰锌铁氧体材料的研究已经进军到了低温、高温和更宽与更高频段领域。对此,作者曾于2002年发表相关文章[1],2005年到2007年日本TDK公司和FDK公司[2]还分别公布了系统的开发思路(见图1、图2)。
深入分析各公司材料性能指标及各种特征曲线后,可以看出,当使用频率:
f<250kHz时,类同于日本TDK公司的PC40、PC44材料功耗明显低于PC50,特别是当B<100mT,f<100kHz时,PC40占有价格和性能优势,没必要选用PC50;250kHz<f<300kHz时,PC44功耗最低,PC50其次,PC40功耗最大,这是PC44独占的市场范围;300kHz<f<1MHz时,PC50功耗最低;1MHz<f<10MHz时,选用类同于菲利浦公司的3F4、3F45型材料:f>10MHz时,目前只有Ni-Zn铁氧体材料才能当此重任,故选用4F1。
基于以上思维,各材料制造厂家早就在积极寻求一种宽温宽频高居里点低剩磁材料,以期取代名目众多的高频低功耗铁氧体材料,且喜俱各有所获[3][4]。绿色环保电磁感应无极灯的广泛应用与性能提高,促进了这种材料的开发与量产。
2 无极灯特点及所用磁心性能
“电磁感应灯”——无极灯,使用的是电磁振荡激活发光原理。无极灯由高频发生器、耦合器和灯泡三部分组成,其工作原理是:将高频电磁场能量以感应方式耦合到灯泡内,使灯泡内的气体被击穿形成等离子体,等离子体受激原子返回基态时,辐射出254nm紫外线,使灯泡壁上的荧光粉受激而发出可见光。由于采用高频电磁感应耦合方式工作,取消了传统的灯丝和电极,故寿命长达10万小时以上,是白炽灯的100倍,节能灯的12倍,高压钠灯的4倍;发光效率高,且比白炽灯节能80%以上,比高压汞灯、高压钠灯、金卤灯节能50%以上,具有极低的运行成本和维护成本;绿色环保,采用固态汞齐和无铅玻璃,使用的材料98%以上都可以循环利用,特别符合世界环保要求;电磁兼容和电磁干扰符合GBl7743-1999标准;无频闪、光衰小,光线稳定;采用汞合金技术,无灯丝预热,  在-50℃- +280℃范围内,正常启动工作和再启动时间均小于0.5秒,开关达3万次以上,安全无故障;适应温度范围宽,功率因数高达98%以上,节能降耗效果显著。
高频无极灯用磁心大都使用镍锌铁氧体材料,因为设计在发光体中间位置的所谓内置式电磁发生器,距被激活的荧光粉有相当大的距离,所以必需产生足够大的电磁能量,才能使之激活发光。这就是使用频率高达2.65MHz的主要原因。但2.65MHz高频振荡产生的电磁幅射、射频干扰问题需要进行技术处理。[#page#]
低频无极灯工作在中低频率状态下,制造成本较低,通常使用锰锌铁氧体磁心,其外置式结构利于实现向大功率、超大功率(200W-1000W)灯具发展,所以适用于高大宽广照明区域。它的电磁感应磁环线圈紧紧贴包在发光体玻壳的外端,与要激活的发光物质非常贴近,这样就不需要很大的能量,也就是不需要太高的工作振荡频率,一般200-300kHz都可以十分轻松的产生足以激活发光体内荧光粉的电磁感应能力,效率很高。
这两种工作状态对软磁铁氧体材料性能的要求都特别苛刻,既要极低温度(-40℃以下)具有足够的磁导率,启动高频振荡,又要相当高的居里温度(+280℃以上)以维持不停振,还要在如此宽温范围保持较高磁通密度和较低功耗,这是非常大的一个矛盾。新材料必须像TDK公司PC95那样具备低频宽温低功耗高Bs特征,又必须像FERROXCUBE公司3F4那样具有高频低功耗高Bs性能,还得超出二者特性,具有+280℃以上高居里点。
开发这种材料的思路必须标新立异,它既能兼顾200kHz左右低频、又能在500kHz直至3MHz频率上综合PC50及3F4的性能,因而能替代μi 1500左右的各种高频低功耗材料。同时借助已成功制作PC44材料的工艺技术,还可扩展μi到2000以上,兼顾低频端功耗要求,部份替代PC40、PC44等材料。南京精研公司新材料典型性能要求见表1,世界各大公司类同材料水平见表2。
3 关键技术分析
如前所述,新材料的特点是既要拓宽适用频率,又要降低在相应频率下的功率损耗。一般铁氧体材料随着使用频率的提高,由于涡流和自然谐振的影响,功耗越来越大。必须寻找一种或几种添加物,掺入铁氧体晶界,增加其高频阻抗,同时钉扎畴壁,以减少其共振能量衰耗[5]。为达到此目的,还必须精细调整烧结冷却气氛,严格控制固相反应过程。
众所周知,软磁铁氧体损耗与频率一般呈线性关系,在低于200kHz时,磁滞部分(Phv)大于涡流部分(Pev),而高于200kHz时,则相反。Zenger[6]指出200kHz是一转变点,在此频率下,Phv=Pev,当f>200kHz,涡流损耗上升为主要影响,故必须设法提高电阻率。剩余损耗一般为不依赖于频率的常数,但在高频场中则与频率呈复杂的函数关系,即使是高电阻率材料也占主导地位。其机理为畴壁共振而产生,如果细化晶粒,减少畴壁而使之共振困难,则可有效降低剩余损耗;当然频率越高,与其平方成正比的涡流损耗也越大,这就必须设法增加晶界电阻以遏制涡流。通常加入SiO2、CaCO3、Ta2O5、SnO2和TiO2会有很好的效果。钙离子在Mn-Zn铁氧体晶界处偏析,与硅形成硅酸钙阻挡层,能提高晶界电阻率显著降低涡流损耗。添加TiO2,也可在晶界形成钙钛型高阻层,为了保持电中性,Ti4+离子增加,Fe3+离子会减小,而Fe2+的含量增加。高价钛离子由于钉在Fe2+位置处,可以成为一个静电阱,提高颗粒的反应活性。控制Fe2+含量还能调节二峰(SMP)温度,加上Co2+离子介入,铁氧体的宽温特性就可获得。[#page#]
但深入的研究发现[7][8],Pcv-T曲线上谷点的最低功耗与主配方Fe2O3含量密切相关。特别是当使用频率在1MHz以上时,欲降低磁芯功耗Pcv,改善性能因子Bmf,则一般采用降低初始磁导率μi的办法,以获得更好的高频性能和更高的磁密Bs及居里点TC,这时主配方中ZnO含量已降至6mol%以下直至3mol%左右,而Fe2O3含量则增至56mol%以上。随着Fe2O3含量的增加,矫顽力Hc减小,与磁滞回线面积成正比的磁滞损耗也随之减小;而且Fe2O3含量增加,功耗谷点温度降低,但此温度下的电阻率增大,因而也使得涡流损耗下降;另一方面,随着Fe2O3/ZnO比的增加,磁导率μi降低,居里温度TC上升,最大的收获在于高温Bs提高,使得材料直流叠加特性改善,同时畴壁共振频率移向高端,又导致剩余损耗降低。
值得指出的是,大幅度调整Fe2O3/ZnO比后,必然会造成谷点下移、Pcv-T曲线“落差”加剧的弊病。除添加传统杂质外,我们加大Co、Ti、Sn的投入,以遏制晶格中B-A离子交换,减小阳离子空位,阻止电子转移,有效降低损耗;同时“中和”K1-T曲线,使复合材料μ-T曲线平缓,从而阻挡了Pcv-T曲线谷点往低温漂移,并使之呈现宽温特征,加之配以严格的气氛烧结工艺,宽温宽频低功耗材料的优良性能就可全面获得。
提高材料电阻率还可从另一角度考虑,在500kHz或更高的使用频率下,涡流损耗占主要地位,从Fe3+到Mn2+的电子跳跃活化能比从Fe3+到Fe2+的稍高,因此可以通过提高锰含量来提高电阻率。想要显著提高Mn-Zn铁氧体材料的电阻率而且不损害其磁性能是很困难的,然而,我们可以通过前述提高晶界电阻率的途径,再辅以减小平均晶粒尺寸的方法来提高多晶Mn-Zn铁氧体材料的电阻率,因为缺陷的存在和杂质在晶界的富集,能够显著提高晶界的电阻率,所以通过增加晶界数量也能够显著提高整块材料的电阻率,细小的晶粒结构和绝缘层的存在则更能降低涡流损耗。
4 试验与讨论
Mn-Zn铁氧体的烧结工艺过程至关重要,这个阶段中铁氧体形成了正确的化学组成,获得了优良微观结构,最终性能得以确定。烧结过程最重要的工艺参数就是气氛控制和烧结曲线,氧分压PO2决定了Fe2+/Fe3+比率。平衡冷却曲线中PO2与温度的关系由Blank方程试验决定,烧结温度、加热速率及保温时间是得到优良微观结构的重要保证。在实现进口钟罩炉量产的基础上,成功过渡到使用总价不及引进设备十分之一的钢包式钟罩炉,优选烧结冷却曲线和与之配伍的气氛,批量生产的Mn-Zn铁氧体宽温宽频高居里点FBT材料和各类磁心,完全满足了用户要求,近两年来取得了良好经济效益和社会效益。
致谢:
无极灯业界对磁路独具匠心的姚文生高工、研制高频低功耗磁芯卓有成效的浙大胡军博士、钢包炉式钟罩炉开拓者导航研究所陈全周高工,对本项目试验、应用和量产,给予了强有力的支持。在此,深表谢意!
参考文献
[1] 刘九皋.锰锌铁氧体材料技术性能的拓展.中国西部磁性材料论坛会议资料.2002.
[2] He Xiuqiao.ICF-l0(2008).Chengdu.JSF-FDK UNITED TO SPEED UP RESEARCH ANDMASS PRODUCTION OF SOFT FERRITE MATERIAL.
[3] 邵顺中.刘九皋.广谱宽频低功耗DMRl.2K材料[J]磁性材料及器件.2002.(04).

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