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本文对气雾化 Fe-6.5%Si 软磁合金粉末进行了绝缘包覆和粒度搭配互相错位， 对不同粒度和包覆工艺制备出的金属磁粉芯的磁导率，损耗，直流偏置 Dc-Bias 等特性进行了研究。
采用传统氧化物制备软磁MnZn铁氧体材料，并研究钴掺杂对其电磁性能、应力敏感性的影响。结果表明，适量的钴掺杂可以提高起始磁导率，并且能够得到晶粒大小均匀、气孔少、应力敏感性低的显微结构。
我们知道，无论是硅钢铁心还是纳米晶或者铁氧体等任何磁性材料，由于涉及到产品退火工艺，在一定程度上，其磁性能都无法保证绝对的一致性，所以为了做出合乎性能的测量型电流互感器，一般都要对铁心先进行检验，防止性能不合格的铁心做成了成品，导致较大的损失。
采用氧化物陶瓷法来制备锰锌功率铁氧体，研究了Co含量对MnZn功率铁氧体磁性能的影响。研究表明：通过添加一定含量的Co2O3，可以提高材料的截止频率，降低高频功率损耗。在Co2O3含量为0.3wt%时，整体高频功耗最低。
研究了添加Nd-Al合金对纳米复合Nd4Fe77.5B18.5磁体微观结构和磁性能的影响。未添加Nd-Al合金的纳米复合Nd4Fe77.5B18.5磁体矫顽力为0.18MA/m，而添加40%Nd-Al合金的磁体矫顽力高达1.44MA/m。微观结构研究表明，纳米复合磁体矫顽力的提高是由于Nd2Fe14B硬磁相数量增加所致。
本文在简介铁氧体抑制元件的基础上，重点论述了铁氧体抑制元件磁性能参数、铁氧体抑制元件的阻抗、插入损耗及铁氧体抑制元件应用。
利用氧化物法，研究了Co2O3 含量对宽温锰锌MnZn材料磁性能的影响。文中分析了Co2O3 添加量对起始磁导率温度μi-T、起始磁导率-频率μi-f、相对损耗因数tanδ/μi、饱和磁通密度 Bs 的影响。
本文介绍了利用居里温度和二峰经验公式计算摩尔配方的方法，利用氧化物法制备样品，研究了居里温度对高磁导率锰锌MnZn材料磁性能的影响。重点分析了居里温度对磁导率-温度μi-T、磁导率-频率μi-f、相对损耗因数tanδ/μi、磁滞常数ηB等的影响。
钴基合金镀层具有电阻率较高，高频损耗较小，生产工艺简单的优点，已广泛应用于电脑硬盘及其他磁记录器件。化学镀钴层的最大特点是具有很强的磁性，且在不同的钴层厚度和不同镀覆条件下均无多大变化。镀层中磷含量对镀层具有很大的影响。
采用传统氧化物法制备了主配方为Ni0.402Cu0.118ZnO0.480Fe2O4的NiZn铁氧体材料TN35B，并对其微观结构和电性能进行了分析。结果表明，相对于NiZn常规材料，TN35B材料通过配方改进饱和磁通密度从410mT提升到了465mT，居里温度从250℃提升到了270℃，其他磁性能保持了相同的水平。
