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本文仅将对SiC MOSFET的快速短路检测与保护和IGBT和MOSFET免受ESD损坏与静电击穿及新型静电防护(ESD)技术等二大热点作研讨。
在电子工业中，由于产品的小型化，对静电愈加敏感，静电防护已成为电子工业必不可少的一环。
本文推出全面的静电释放保护方案，将从静电释放理念引入到布置贯穿整个工艺链的静电释放保护区的物理学背景和如何选择合适的设备等电子产品防静电设计及静电防护措施新举措,从而实施可靠地避免因静电释放引发的损失并确保智能化设备安全运作等问题作分析研讨。
本文将从源头上对与静电放电密切相关的静电噪声诱发干扰问题的抑制与防护作研讨。并且对静电释放、布置贯穿整个工艺链的静电释放保护区的物理学背景和如何选择合适的设备等问题以及防静电新技术发展趋势作分析。由此以阐述半导体器件的静电破坏模式为典例作引导说明。
本文将从源头上应对与静电放电密切相关的电磁噪声诱发等干扰问题作抑制并防护,也应在解决方案中对静电保护器件---EMI静噪滤波器应用作说明，并且对防静电新技术发展新趋势作分析。
本文研究并优化了等离子体刻蚀后、去静电过程中等离子体辅助晶片去静电的工艺步骤。通过数据模拟和实验设计，研究了极板间距、反应室压力、射频电源功率和射频电源关闭方式对晶片残存电荷的影响。
本文将对其静电产生的理念尤其是半导体器件的静电破坏模式先作阐述，并重点对新型数字隔离技术在静电放电保护中的应用与通过 静电电位传感器“EP传感器”及多种技术装置在静电放电保护中应用的举措作重点研讨。与此同时,也着重对数字隔离器的正确放置对其芯片损害的保护问题作分析。
日前，全球领先的电子元器件制造商村田制作所(以下简称村田)推出了其最新研发的陶瓷ESD防护器件。该产品在性能上比上一代产品提高了20%，大大减少了静电带来的损害。
使用LCR测量仪对高诱电率型陶瓷电容器进行测量时，有时无法得到与标称静电容量相同的值。高诱电率型陶瓷电容器的静电容量，会随着温度、电压(AC、DC)、频率及时间的变化而发生变化，因此，为了得到标称静电容量，需要按照规定的测量条件实施测量。
磁珠专用于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰，还具有吸收静电脉冲的能力，而电感是一种蓄能元件，用在LC振荡电路，中低频的滤波电路等，其应用频率范围很少超过50MHZ. 磁珠有很高的电阻率和磁导率，等效于电阻和电感串联，但电阻值和电感值都随频率变化。
