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这项研究是为了开发一种包含交流滤波器的三相脉宽调制（PWM）逆变器的功率密度和效率最大化的设计方法。功率密度和效率之间存在折衷关系。通常，已知增加开关频率会增加开关器件损耗并减小无源元件的体积。三相PWM逆变器设计应考虑转换效率和逆变器体积之间的平衡。
本文通过介绍 SiC 材料及 SiC 功率器件特性，指出 SiC 功率器件非常适合高频、高压化。文章通过设计一台额定输入功率 5.4kW、开关频率 30kHz 的光伏 boost 变换器，分析计算 SiC-MOSFET 损耗远远低于 Si-MOSFET 和 Si-IGBT 损耗。使用 SiC-MOSFET 的光伏发电系统具有转换效率高、发电量高的优势。
为提高六相电压源逆变器的带不平衡负载能力，保持系统的稳定性，通过分析组合式逆变拓扑结构，结合双闭环控制策略，搭建了六相逆变系统。通过仿真表明，与传统的电压矢量调制方式相比，该方法计算量少，相同开关频率下采样点多，谐波含量低，带不平衡负载能力强。
随着开关电源逐渐往高频化数字化方向发展，开关频率的提高对数字控制的精度提出了越来越高的要求。本文提出了一种基于低成本FPGA内部加法器延迟原理的ps级DPWM设计方案，可以在50MHz系统硬件晶振时钟下，实现1MHz开关频率、15位分辨率的高精度DPWM。
研究了基于新一代宽禁带1200V 碳化硅（SiC）MOSFET 三相双向逆变器，由于SiC MOSFET 的高耐压、低损耗、高开关频率特性，逆变电路的拓扑结构得到简化，并提高了功率密度和可靠性。同时，利用碳化硅MOSFET 的双向第三象限导通特性，与硅基IGBT 相比省略了开关器件的反并联二极管。
移相全桥变换器可以大大减少功率管的开关电压、电流应力和尖刺干扰，降低损耗，提高开关频率。如何以UC3875为核心，设计一款基于PWM软开关模式的开关电源？请见下文详解。
提高开关电源的工作频率，成为设计者越来越关注的问题，然而制约开关电源频率提升的因素是什么呢？其实主要包括三方面，开关管、变压器和EMI及PCB设计。
提出了一种大功率电网模拟源主电路方案及输出逆变器控制方案。主电路通过逆变单元的串联多重化提高等效开关频率，从而有效地提高了系统的带宽；控制方案通过采用带负载电流前馈的多环反馈控制方案，使电源具有优异的跟踪特性、优异的动态特性以及极低的内阻。
针对于超级电容串联储能系统中单体电压不均衡的问题，本文介绍了一种基于半桥变换器和首尾次序耦合变压器的均压电路。利用次序耦合绕组可以减小因变压器单元漏感误差而引起的超级电容单体电压不均衡。该电路结构简单，还可以均衡超级电容器的电压，恒定开关频率和占空比，不需要反馈控制环节。
文章叙述了有两个三相Buck型整流器组成的额交错并联系统，通过对其错是采样空间矢量脉宽调制(svpwm)控制，保证了在低开关频率时交流侧的谐波含量减少，同时提出了扇区信号判断的均流技术，以有效解决并联单元之间的环境问题。经实际试验检测，验证了所叙述的系统控制技术方案的有效性和灵活性。
